SK하이닉스, 단일 칩 기준 최대 용량… 3세대 D램 개발 성공

SK하이닉스는 올해도 지속 중인 무역 분쟁과 신규 경쟁자 진입, 인터넷데이터센터(IDC) 시장 불안정 등 도전적 상황에 신기술·신제품 연구개발(R&D)로 대응해나가고 있다. 이석희 SK하이닉스 대표이사(CEO)는 1월 이러한 불확실성을 ‘뉴 노멀(New Normal·새로운 표준)’로 규정하며 제품 및 기업 쇄신을 촉구했다.

SK하이닉스가 2018년 11월 개발을 완료한 2세대 10나노급(1y) 8Gb(기가비트) DDR4 D램은 기존 1x 제품 대비 생산성이 약 20% 향상됐다. 데이터 전송 속도 또한 DDR4 규격이 지원하는 최고 속도인 3200Mbps(초당 메가비트)까지 안정적인 구현이 가능하다.

이후 SK하이닉스는 11개월 만인 작년 10월 3세대 10나노급(1z) 미세공정을 적용한 16Gb DDR4 D램도 개발했다. 단일 칩 기준 업계 최대 용량인 16Gb를 구현해 웨이퍼 1장에서 생산되는 메모리 총용량도 현존하는 D램 중 가장 크다. 1y 제품 대비 생산성이 약 27% 향상됐으며, 초고가의 극자외선(EUV) 노광 공정 없이도 생산이 가능해 원가 경쟁력도 갖췄다. 데이터 전송 속도는 DDR4 규격의 최고 속도인 3200Mbps까지 안정적으로 지원한다.

SK하이닉스는 D램 기술 개발과 더불어 HBM, GDDR 같은 고성능·고부가가치 제품군도 활발히 개발해 시장에 대응하고 있다. 2013년 세계 최초로 HBM D램을 출시했으며, GPU(Graphic Processing Unit)와 고성능 컴퓨터용으로 수요가 지속적으로 늘어날 것으로 예상되는 HBM2 제품도 개발해 2017년 4분기부터 본격적으로 판매를 시작했다.

지난해 8월엔 업계 최고속 HBM2E D램 개발에도 성공했다. HBM2E는 초고속 특성이 필요한 고성능 GPU를 비롯해 머신러닝과 슈퍼컴퓨터, AI 등 4차 산업혁명 기반 시스템에 적합한 고사양 메모리 솔루션이다. SK하이닉스는 HBM2E 시장이 열리는 2020년부터 본격적인 양산을 개시해 프리미엄 메모리 시장에서의 리더십을 지속적으로 강화할 예정이라고 밝혔다.

곽도영 기자 now@donga.com