삼성, 업계 최초 TLC 9세대 V낸드 양산…AI 수요 대응

삼성전자(005930)가 첨단 낸드플래시를 앞세워 인공지능(AI) 메모리 시장 공략에 나선다.

삼성전자는 업계 최초로 1테라비트(Tb) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드 양산을 시작했다고 23일 밝혔다. TLC는 하나의 셀에 3비트 데이터를 기록할 수 있는 구조를 말한다.

TLC 9세대 V낸드는 업계 최소 크기 셀과 최소 몰드 두께를 구현해 비트 밀도(단위면적당 저장되는 비트 수)를 이전 세대 대비 약 1.5배 늘렸다. ‘더미 채널 홀’ 제거 기술로 셀 평면적도 줄였다.

TLC 9세대 V낸드에는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 ‘Toggle 5.1’이 적용돼 8세대보다 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 제공한다. 저전력 설계 기술을 탑재해 전 세대 대비 소비 전략은 약 10% 개선됐다.

삼성전자는 이를 기반으로 PCIe(고속 인터페이스 규격) 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 솔리드스테이트드라이브(SSD) 시장을 확대해 낸드플래시 기술 리더십을 공고히 한다는 계획이다.

TLC 9세대 V낸드는 첨단 공정으로 원가경쟁력도 확보했다. 최소한의 공정으로 단수를 쌓아 올리는 것이 V낸드 원가경쟁력의 핵심인데 삼성전자는 ‘채널 홀 에칭’ 공정 기술력으로 업계 최대 단수 제품 양산에 성공했다.

채널 홀 에칭은 몰드층을 순차적으로 쌓은 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술이다. 낸드플래시를 두 번에 걸친 채널 홀 에칭으로 나눠 뚫은 뒤 한 개의 칩으로 결합하는 방식이 ‘더블 스택’으로 TLC 9세대 V낸드는 더블 스택 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품이다.

삼성전자는 고용량·고성능 낸드를 앞세워 AI 서버 수요에 대응한다는 방침이다. TLC 9세대 V낸드에 이어 올해 하반기 QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드 양산도 준비하고 있다.

허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장(부사장)은 “9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것”이라고 밝혔다.

(서울=뉴스1)