4세대보다 생산성 30%이상 증가… 데이터 전송속도 1.4배 빨라져
“슈퍼컴퓨터 시장 고용량화 주도”

삼성전자가 기존 4세대 V낸드플래시보다 데이터 전송 속도가 1.4배 빠른 ‘5세대 256Gb(기가비트) V낸드플래시’를 세계 최초로 양산한다고 10일 밝혔다. 2016년 12월 4세대 V낸드플래시 양산에 성공한 지 1년 반 만이다.

낸드플래시란 메모리반도체의 일종으로 D램과 달리 전원이 꺼져도 한 번 저장된 정보는 지워지지 않는 특징이 있다. 주로 스마트폰이나 차세대 대용량 저장장치 솔리드스테이트드라이브(SSD) 등에 쓰인다.

5세대 V낸드에는 차세대 낸드 인터페이스인 ‘Toggle DDR 4.0 규격’이 처음으로 적용됐다. 이 인터페이스는 초당 데이터 전송 속도가 4세대 V낸드에 적용된 ‘Toggle DDR 3.0 규격’보다 1.4배 빠른 1400Mpbs(초당 메가비트)다.

이 제품은 셀(정보를 저장하는 공간)을 90단 이상 수직으로 쌓아올린 뒤 위에서 아래로 수백 nm(나노미터·1nm는 10억분의 1m) 직경의 미세한 구멍을 뚫는 방식이 적용됐다. 이를 통해 ‘3차원 CTF(Charge Trap Flash) 셀’이 850억 개 이상 만들어진다. 삼성전자는 업계 최초로 셀을 평면이 아닌 수직으로 쌓는 방식을 개발한 바 있다.

생산성도 4세대 V낸드 대비 30% 이상 높아졌다. 단수를 올리면 전체 구조가 뒤틀리거나 최고층과 최단층의 셀 간 특성 차이가 생기는 문제가 있다. 이를 해결하기 위해 단수를 올리는 데 비례해 높아지는 셀 영역의 높이를 20% 낮추는 기술도 개발했다.