기존 플래시보다 1000배 빨라

삼성전자가 D램과 낸드플래시 메모리의 장점을 동시에 갖춘 차세대 반도체 솔루션인 내장형 M램 양산을 시작했다. 삼성전자는 M램을 통해 최근 미래 성장동력으로 육성 중인 파운드리(위탁생산) 사업 경쟁력을 강화한다는 목표다.

6일 삼성전자는 D램 수준의 빠른 속도와 전원이 꺼져도 데이터가 유지되는 특성을 동시에 갖춘 차세대 반도체 솔루션인 ‘28나노 FD-SOI(완전공핍형 실리콘 온 인슐레이터) 공정 기반 내장형 M램’을 출하했다. M램은 전원을 꺼도 데이터가 유지되는 비휘발성 특성을 갖추면서 D램 수준으로 빠른 데이터 처리가 가능한 것이 특징인 차세대 메모리다. FD-SOI 공정은 실리콘 웨이퍼 위에 절연막을 씌워 누설 전류를 줄일 수 있는 공정이다.

기존 내장형 플래시는 데이터를 기록할 때 먼저 저장돼 있던 기존 데이터를 삭제하는 과정을 거쳐야 하기 때문에 속도와 전력 효율 면에서 한계가 있었지만 이 제품은 데이터 기록 시 삭제 과정이 필요 없고 속도도 약 1000배 빠르다.

김지현 기자 jhk85@donga.com