이천-청주-용인 생산기지 구축, 미래 시장 주도
지민구 기자
입력 2020-04-01 03:00 수정 2020-04-01 03:00
100년 기업을 향한 약속 - SK하이닉스
SK하이닉스는 이를 위해 원가경쟁력 확대와 새 시장 개척으로 반도체 사업의 기초체력을 길러놓겠다는 전략을 마련했다. 지난해 10월 개발한 10나노급 3세대 D램과 128단 낸드플래시 기반의 제품을 본격적으로 생산해 인공지능(AI), 자율주행 등 4차 산업혁명 시대의 고품질 반도체 수요에 대응할 계획이다. 주력 사업인 D램은 모바일 기기 생산 증가, 낸드플래시는 클라우드 및 빅데이터 산업 활성화로 데이터센터 설치가 늘어나면서 수요를 이끌고 있다. 연구개발(R&D) 투자도 확대하며 2016년부터 지난해까지 연간 2조 원 규모의 투자를 지속하고 있다.
SK하이닉스는 D램 기술 개발과 함께 HBM, GDDR 같은 고성능·고부가가치 제품군도 활발히 개발하며 시장에 대응하고 있다. 2013년 세계 최초로 HBM D램을 출시했으며, GPU(Graphic Processing Unit)와 고성능 컴퓨터용으로 수요가 지속적으로 늘어날 것으로 예상되는 HBM2 제품도 개발해 2017년 4분기(10∼12월)부터 본격적으로 판매를 시작했다.
지난해 8월엔 업계 최고속 HBM2E D램 개발에도 성공했다. HBM2E는 초고속 특성이 필요한 고성능 GPU를 비롯해 머신러닝과 슈퍼컴퓨터, AI 등 4차 산업혁명 기반 시스템에 적합한 고사양 메모리 반도체 제품이다. SK하이닉스는 HBM2E 시장이 열리는 올해부터 본격적인 양산에 돌입할 예정이다.
SK하이닉스는 경기 이천시의 D램 라인, 충북 청주시의 낸드플래시 라인에 이어 2022년 준공될 경기 용인시의 반도체 클러스터까지 3개 생산기지를 구축해 미래 반도체 시장에 대응한다는 전략을 짰다. 특히 용인 라인에는 50곳 이상의 장비·소재·부품 협력업체가 함께 입주할 예정이다. SK하이닉스는 국내외 협력업체와의 시너지를 창출하고 생태계를 강화하기 위해 10년 동안 총 1조2200억 원을 지원하기로 했다. 구체적으로는 상생펀드 조성에 3000억 원, AI를 기반으로 하는 상생협력센터·프로그램 추진에 6380억 원, 공동 연구개발에 2800억 원 등을 각각 집행한다.
SK하이닉스 관계자는 “최근 반도체 산업은 공정 미세화에 따라 기술 개발이 까다로워지고 있고, 투자 규모 확대 및 투자 대비 수익에 대한 불확실성 증대로 사업 환경이 변화하고 있다”며 “기술 혁신을 통해 난관을 극복할 것”이라고 말했다.
지민구 기자 warum@donga.com
이석희 SK하이닉스 대표이사는 올해 1월 신년회에서 불확실성 극복을 위한 ‘뉴 노멀’을 강조했다. 그가 언급한 뉴 노멀은 강대국 간의 무역분쟁, 반도체 시장의 불안정과 새로운 경쟁자의 시장 진입 등 SK하이닉스 주변에 얽혀 있는 불확실성이 새로운 ‘노멀’이 되고 있는 상황을 극복하기 위해 전략이 필요하다는 것을 의미한다.
이 대표는 “반도체 산업은 신규 경쟁자 진입, 인터넷데이터센터(IDC) 시장 불안정 등 여러 상황이 복잡하게 얽힌 어려움에 직면하고 있다”면서 “원가경쟁력 확보를 통해 불확실성을 극복하고 전략 시장을 확대해야 할 것”이라고 말했다.
SK하이닉스는 이를 위해 원가경쟁력 확대와 새 시장 개척으로 반도체 사업의 기초체력을 길러놓겠다는 전략을 마련했다. 지난해 10월 개발한 10나노급 3세대 D램과 128단 낸드플래시 기반의 제품을 본격적으로 생산해 인공지능(AI), 자율주행 등 4차 산업혁명 시대의 고품질 반도체 수요에 대응할 계획이다. 주력 사업인 D램은 모바일 기기 생산 증가, 낸드플래시는 클라우드 및 빅데이터 산업 활성화로 데이터센터 설치가 늘어나면서 수요를 이끌고 있다. 연구개발(R&D) 투자도 확대하며 2016년부터 지난해까지 연간 2조 원 규모의 투자를 지속하고 있다.
SK하이닉스는 D램 기술 개발과 함께 HBM, GDDR 같은 고성능·고부가가치 제품군도 활발히 개발하며 시장에 대응하고 있다. 2013년 세계 최초로 HBM D램을 출시했으며, GPU(Graphic Processing Unit)와 고성능 컴퓨터용으로 수요가 지속적으로 늘어날 것으로 예상되는 HBM2 제품도 개발해 2017년 4분기(10∼12월)부터 본격적으로 판매를 시작했다.
지난해 8월엔 업계 최고속 HBM2E D램 개발에도 성공했다. HBM2E는 초고속 특성이 필요한 고성능 GPU를 비롯해 머신러닝과 슈퍼컴퓨터, AI 등 4차 산업혁명 기반 시스템에 적합한 고사양 메모리 반도체 제품이다. SK하이닉스는 HBM2E 시장이 열리는 올해부터 본격적인 양산에 돌입할 예정이다.
SK하이닉스는 경기 이천시의 D램 라인, 충북 청주시의 낸드플래시 라인에 이어 2022년 준공될 경기 용인시의 반도체 클러스터까지 3개 생산기지를 구축해 미래 반도체 시장에 대응한다는 전략을 짰다. 특히 용인 라인에는 50곳 이상의 장비·소재·부품 협력업체가 함께 입주할 예정이다. SK하이닉스는 국내외 협력업체와의 시너지를 창출하고 생태계를 강화하기 위해 10년 동안 총 1조2200억 원을 지원하기로 했다. 구체적으로는 상생펀드 조성에 3000억 원, AI를 기반으로 하는 상생협력센터·프로그램 추진에 6380억 원, 공동 연구개발에 2800억 원 등을 각각 집행한다.
SK하이닉스 관계자는 “최근 반도체 산업은 공정 미세화에 따라 기술 개발이 까다로워지고 있고, 투자 규모 확대 및 투자 대비 수익에 대한 불확실성 증대로 사업 환경이 변화하고 있다”며 “기술 혁신을 통해 난관을 극복할 것”이라고 말했다.
지민구 기자 warum@donga.com
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