삼성, 시스템반도체 투자 늘린다…2030년까지 171조원

삼성전자 평택캠퍼스 2라인 전경(삼성전자 제공)/뉴스1

삼성전자가 반도체 강국 도약을 목표로 한 문재인 정부의 ‘K-반도체 벨트’ 전략에 발맞춰 시스템반도체 육성에 2030년까지 171조원을 쏟아붓는다.

이는 2년 전인 2019년 발표했던 133조원 대비 약 29% 증액된 수준이다. 삼성전자는 최근 글로벌 반도체 공급부족으로 주목받고 있는 파운드리(위탁생산) 시장에서의 경쟁력 확보를 위해 신규 팹 건설 및 미세공정 연구개발(R&D) 등에 투자비를 활용할 방침이다.

삼성전자는 13일 평택캠퍼스에서 문재인 대통령, 홍남기 부총리 등이 참석한 가운데 진행된 ‘K-반도체 벨트 전략 보고대회’에서 “2030년까지 시스템반도체 분야에 총 171조원을 투자하겠다”고 밝혔다.

앞서 삼성전자는 2019년 4월 화성캠퍼스에서 당시 문 대통령, 이재용 부회장 등이 동행해 열린 ‘시스템반도체 비전 선포식’에서 시스템반도체 육성을 위해 2030년까지 133조원을 투자한다는 이른바 ‘반도체 비전 2030’을 공개한 바 있다.

그로부터 2년여가 지난 후 삼성전자는 종전 대비 투자 금액을 약 29%(38조원) 증액한 171조원으로 늘리겠다고 선언했다. 삼성전자 관계자는 “늘어난 투자비를 활용해 첨단 파운드리 공정 연구개발과 생산라인 건설 등에 박차를 가할 것”이라고 말했다.

우선 삼성전자는 현존 세계 최대 규모 반도체 생산시설이 들어선 평택캠퍼스에 역대 최대 규모의 3라인(P3) 건설에 본격 착수한다. 이미 기초 공사는 시작된 단계인 상황에서 삼성전자는 2022년 하반기 완공을 목표로 삼았다.

삼성전자에 따르면 평택 3라인 연면적은 축구장 25개 크기로 세계 최대 규모에 이를 것으로 예상된다. 이는 앞서 2020년 완공된 평택 2라인(P2)의 연면적 12만8900㎡(축구장 16개 크기)를 훌쩍 뛰어넘는 수준이다.

삼성전자는 평택 3라인을 메모리와 파운드리를 결합한 최첨단 팹으로 운영할 계획이다. EUV(극자외선) 공정 기술을 적용한 14나노 최신 D램을 비롯해 5나노 파운드리 로직 제품을 양산한다는 방침이다.

회사 관계자는 “차세대 D램에 EUV 기술을 선도적으로 적용하는 한편 메모리와 시스템 반도체를 융합한 ‘HBM-PIM’과 D램 용량 한계를 극복한 CXL D램 등의 최신 메모리 솔루션 개발에도 박차를 가할 것”이라고 말했다.

삼성전자의 반도체 사업을 총괄하고 있는 김기남 DS부문장 대표이사 부회장은 “한국이 줄곧 선두를 지켜온 메모리 분야에서도 추격이 거세다”면서 “수성에 힘쓰기 보다는 결코 따라올 수 없는 ‘초격차’를 벌리기 위해 삼성이 선제적 투자에 앞장서겠다”고 밝혔다.

아울러 삼성전자는 국내 반도체 생태계 발전을 위한 상생협력과 지원·투자도 더욱 확대한다. 시스템반도체 발전을 위해 팹리스(설계전문) 기업들을 위해 IP(지식재산권) 호혜 제공, 시제품 생산 지원 등의 상생에 나설 예정이다.

삼성전자의 시스템반도체 생태계 확대는 5G, AI(인공지능), 자율주행 등 국가 미래산업 발전에도 큰 힘이 될 것으로 전망된다.

김 부회장은 “지금 대한민국의 반도체 산업은 거대한 분수령 위에 서 있고 대격변을 겪는 지금이야 말로 장기적인 비전과 투자의 밑그림을 그려야 할 때”라며 “우리가 직면한 도전이 크지만 현재를 넘어 미래를 향해 담대히 나아갈 것”이라고 말했다.


(서울=뉴스1)