반도체 혹한기‘ 대비…삼성·SK하이닉스 ’차세대 메모리‘ 집중

뉴시스

입력 2022-08-03 13:17:00 수정 2022-08-03 14:26:26

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세계 경제가 침체기에 접어들고 있다는 경고음과 함께 반도체 혹한기도 찾아올 전망이다. 2분기(4~6월) 기준 역대급 실적을 올린 삼성전자와 SK하이닉스조차 반도체 시장의 불확실성으로 투자 전략 수정까지 고려하고 있다.

삼성전자와 SK하이닉스는 반도체의 겨울을 극복하기 위해 초격차 기술을 통한 차세대 메모리 시장에 사활을 걸고 있다. 인공지능(AI), 메타버스(Metaverse), 사물인터넷(IoT), 미래차(Automotive), 5G·6G 등 서비스가 확대되며 데이터가 폭발적으로 증가하면서 메모리 시장은 꾸준히 성장할 것으로 보고 있기 때문이다.

3일 삼성전자는 미국 산타클라라 컨벤션센터에서 열린 ‘플래시 메모리 서밋 2022’에서 차세대 메모리 솔루션을 대거 선보였다.

삼성전자는 대량의 데이터를 이동(Movement), 저장(Storage), 처리(Processing), 관리(Management)하기 위한 메모리 기술의 혁신적인 발전이 필요하다고 강조했다. 이에 ▲서버 시스템의 공간 활용도를 높인 ‘페타바이트 스토리지(Petabyte storage)’ ▲인공지능(AI)·머신러닝(ML)에 최적화된 ‘메모리 시맨틱 SSD(Memory-Semantic SSD)’ ▲스토리지를 안정적으로 관리할 수 있는 ‘텔레메트리(Telemetry)’ 등 차세대 메모리 솔루션을 소개했다.

이날 삼성전자는 CXL 차세대 인터페이스 기반의 ‘메모리 시맨틱 SSD’도 공개했다. CXL(컴퓨트 익스프레스 링크·Compute Express Link)는 고성능 컴퓨팅 시스템에서 CPU와 함께 사용되는 가속기, 메모리, 저장장치 등을 보다 효율적으로 활용하기 위해 새롭게 고안한 인터페이스다.

업계 최초로 양산 중인 PCIe(Peripheral Component Interconnect express) 5.0 기반 엔터프라이즈 서버용 SSD ‘PM1743’과 24G SAS(Serial Attached SCSI) 기반 SSD ‘PM1653’, 스마트SSD, CXL D램 등도 소개했다.

삼성전자는 지난 5월 업계 최초로 개발한 UFS(Universal Flash Storage) 4.0 메모리도 이달부터 양산한다.

UFS 4.0 메모리는 고해상도 콘텐츠, 고용량 모바일 게임 등 신속한 대용량 처리가 필수인 플래그십 스마트폰과 향후 모빌리티, VR·AR 등 모든 컨슈머 디바이스 영역으로 적용을 확대해 나갈 계획이다.


SK하이닉스는 현존 최고층 238단 낸드플래시 개발에 성공했다. 최근 238단 512Gb 기가비트(Gb) 트리플 레벨 셀(TLC) 4D 낸드플래시 샘플을 고객에게 출시했고, 내년 상반기 양산에 들어간다는 계획이다.

이번 238단은 단수를 높이며 세계 최소 사이즈로 만들었다. 이전 세대인 176단 대비 생산성이 34% 높아졌다. 이전보다 단위 면적당 용량이 커진 칩이 웨이퍼당 더 많은 개수로 생산되기 때문이다.

238단의 데이터 전송 속도는 초당 2.4Gb로 이전 세대 대비 50% 빨라졌다. 칩이 데이터를 읽을 때 쓰는 에너지 사용량도 21% 줄여 전력 소모 절감을 통해 ESG 측면에서 성과를 냈다고 보고있다.

SK하이닉스는 PC 저장장치인 cSSD(client SSD)에 들어가는 238단 제품을 먼저 공급하고, 이후 스마트폰용과 서버용 고용량 SSD 등으로 제품 활용 범위를 넓혀간다는 계획이다. 내년에는 현재의 512Gb보다 용량을 2배 높인 1Tb 제품도 선보일 예정이다.

최정달 SK하이닉스 낸드 개발담당 부사장은 “4D 낸드 기술력을 바탕으로 개발한 238단을 통해 원가, 성능, 품질 측면에서 글로벌 톱클래스 경쟁력을 확보했다”고 말했다.

[서울=뉴시스]

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