SK하이닉스, 2세대 10나노급 D램 개발

1세대보다 생산성 20% 향상… 내년 1분기 본격 양산 체제로

SK하이닉스는 2세대 10나노급 미세공정을 적용해 생산성과 전력효율을 높인 8기가비트(Gb)급 DDR D램 개발에 성공해 내년 초부터 양산에 들어간다고 12일 밝혔다.

신제품은 1세대 제품보다 생산성은 약 20% 향상됐고 전력소비는 15% 이상 줄였다. DDR4 규격이 지원하는 최대치인 3200Mbps까지 데이터 전송속도를 안정적으로 구현할 수 있다.

SK하이닉스는 이 제품에 ‘4페이즈 클로킹’ 설계기술을 적용했다. 데이터를 전송할 때 주고받는 신호를 기존 대비 2배로 늘려 반도체의 동작 속도와 안정성을 높인 기술이다. 아울러 전력소비를 줄이고 데이터 오류 발생 가능성을 낮추기 위한 독자 기술인 ‘센스 앰프’ 제어 기술도 도입했다.

SK하이닉스는 PC와 서버 시장을 시작으로 모바일 등 다양한 응용처에 2세대 10나노급 미세공정 기술을 확대 적용할 방침이다. 김석 D램 마케팅 담당 상무는 “내년 1분기(1∼3월)부터 공급에 나서 시장 수요에 적극적으로 대응할 것”이라고 말했다.

김지현 기자 jhk85@donga.com